- 採用3D NAND 堆疊技術
- 高效能高信賴度
- 支持M.2 M key 接口
- SLC Caching 與DRAM Cache buffer 緩存技術提升讀寫速度
- 採用高階LDPC ECC 除錯技術防止資料錯誤
- 強大的平均抹寫功能與除錯技術延長產品使用週期
- 可支持 NCQ/ TRIM 指令
- S.M.A.R.T.產品監測系統
| 接口 | PCIe Gen 3x4 |
| 容量 | 500GB \ 1000GB \ 2000GB \ 4000GB |
| 連續讀寫速度 (最高可達) | 500GB 2000MB/s(R) 1000MB/s (W) 1000GB 3000MB/s(R) 1800MB/s (W) 2000GB 3000MB/s(R) 2800MB/s (W) 4000GB 3200MB/s(R) 2800MB/s (W) |
| 4K 隨機讀寫速度 (最高可達) | 500GB 80K(R) 200K(W) 1000GB 95K(R) 350K(W) 2000GB 200K(R) 450K(W) 4000GB 400K(R) 500K(W) |
| TBW (SSD 讀寫壽命) | 500GB 110TB 1000GB 240TB 2000GB 480TB 4000GB 900TB |
| 耗電量 | 500GB 3.5W 1000GB 4.5W 2000GB 6.0W 4000GB 6.5W |
| 耐衝擊力 | 1500G /0.5ms |
| 平均故障間隔 | 2 million hours |
| 工作溫度 | 0~70°C |
| 尺寸 | 22 mm (W) x 80 mm (L) |
| 重量 | 10g |
| 電壓 | 3.3V |
| 保固 | 3年有限保固* |
*固態硬碟保固期限為TBW產品壽命與保固期限擇一
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